重庆某半导体材料集成电路芯片营造厂，晶圆生产制造整个过程中形成含硅、氟的专项 废液外理，来设计外理占比1200吨/日。废液外理材质复杂的，包含有纳米级级硅顆粒及盐酸，传统文化外理方式方法不易于合格。 废气物质及主要来源 最主要水空气污染物 ：氢氧化铁硅（100-500nm粒级）、氟铝离子（200-300mg/L）、异丙醇 因素制作工序 ：晶圆刻蚀电镀废水处理方法（45%）、CMP化学式物理cnc精密机械加工电镀废水处理方法（40%）、的设备清洗水（15%） 处理方法的流程 科学创新适用"化学反应放置+特种工艺膜离心分离"科技自驾路线： 钙盐石雕文化沉淀 ：添加氯化钙消除氟阳离子（生成二维码CaF2积淀） 水解酸化池现象 ：和好水解酸化池剂确保悬浊液硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm直径膜挤占微细颗粒状 反浸入平台 ：脱盐率>98%，回收处理率75% 蒸发掉晶体 ：浓水段保证 氟化物零排卸 以后疗效 氟化物氨水浓度：<8mg/L（少于地区考试内容一级标10mg/L） 硅含氧量：<5mg/L 水資源工业废水处理率：70%应用在待玻璃钢冷却塔补湿 危险废弃物减轻药量：多效蒸发沉渣量较过去的新工艺极大减少60%